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金刚石基晶圆
2026-04-28
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键合路线：单晶碳化硅键合多晶碳化硅、半导体级单晶硅键合金刚石、单晶碳化硅键合金刚石、氮化镓键合金刚石、氮化硅键合金刚石、多晶碳化硅键合金刚石；
沉积路线：半导体级单晶硅沉积金刚石、单晶碳化硅沉积金刚石、氮化镓沉积金刚石、氮化硅沉积金刚石、多晶碳化硅沉积金刚石。
适配场景：
键合：背面热沉、大功率、高热流、高端射频 / 车规功率器件；
沉积：正面薄膜、一体化涂层、中小功率、特种传感器 / 小型封装。
优势：
键合路线共性优势
工艺温度低，不损伤半导体外延薄膜
选用高导热单晶 / 多晶金刚石基板，散热上限更高
界面可控，优化后界面热阻更低
两种基材独立加工，缺陷筛选前置，提升最终良率
沉积路线共性优势
一体化生长，不存在键合空洞、脱层风险
擅长器件正面金刚石薄膜制备
适合规模化连续镀膜，中小功率场景具备成本潜力